赛默飞半导体行业化学品
碳化硅单晶制备：
碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，因其具有禁带宽度大、饱和电子迁移率高、击穿场强大、热导率高等优异性质，而被广泛用于电子电力、光电子器件、新能源等行业。
目前，物理气相沉积（PVT）是生长碳化硅晶体的主要方法。PVT法生长碳化硅晶体所用的设备简单，并且工艺容易控制。但在此过程中会产生位错、多型等缺陷，进而影响单晶碳化硅的性能。现有技术为抑制碳化硅生长中多型缺陷的产生，在晶体生长工艺中均匀掺杂适量的稀土元素，可以有效抑制多晶缺陷的产生。
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货号 |
CAS |
中文名 |
规格 |
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035836 |
12014-85-6 |
硅化铈，99.9% |
5g，25g |
离子注入：
离子注入是通过高压离子轰击把杂质引入半导体材料的晶体结构中，再进行退火，激活杂质，修复晶格损伤，从而获得所需的杂质浓度，形成P-N 结。
Thermo Scientific 包含高纯铟盐，镓盐，锑盐，纯度高，批次稳定，可用作离子注入原材料。
优势和卖点：
纯度高，金属基纯度大于99.9%
批次稳定，控制关键金属杂质低于1ppm
提供RoHS 和Reach 报告
库存充足，国内外大量现货
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货号 |
CAS |
中文名 |
规格 |
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041977 |
10025-82-8 |
氯化铟(III), 无水, 99.99% (metals basis) |
10g, 50g, 250g |
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010641 |
1309-64-4 |
氧化锑(III), 99.999% (metals basis) |
25g, 50g, 100g |
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035700 |
13966-94-4 |
碘化铟(I), 超干, 99.998% (metals basis) |
1g, 5g |
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045525 |
7783-52-0 |
氟化铟(III), 无水, 99.95% (metals basis) |
5g, 25g |
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035699 |
13450-91-4 |
三碘化镓(III), 超干,99.999% (metals basis) |
1g, 5g, 25g |
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041537 |
10025-91-9 |
三氯化锑(III), 99.9% (metals basis) |
25g, 100g |
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011492 |
7783-56-4 |
三氟化锑, 99+% |
100g, 500g |
薄膜沉积：
PVD，物理气相沉积，以真空蒸发、溅射、离子化、或离子束等方法使纯金属挥发，一般用来蒸镀碳化物、氮化物、硼化物、金属单质等薄膜；
CVD，化学气相沉积，将反应源以气体形式通入反应腔中，经由氧化还原或与基板反应的方式进行化学反应，其生成物通过扩散作用而沉积在基板表面上。一般用来蒸镀金属盐等薄膜；
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货号 |
CAS |
中文名 |
规格 |
用途 |
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022967 |
78-10-4 |
四乙氧基硅烷（TEOS），99.999% |
50g, 250g |
APAPCVD 沉积二氧化硅 CVD 沉积二氧化硅 |
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A11848 |
107-46-0 |
六甲基二硅氧烷（HMDSO），98+% |
100mL, 500mL, 2.5L |
CVD 沉积碳化硅 |
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参考官网 |
7440-50-8 |
铜单质，99.999% |
参考官网 |
PVD 沉积铜 |
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参考官网 |
7440-33-7 |
钨单质，99.999% |
参考官网 |
PVD 沉积钨 |
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参考官网 |
7429-90-5 |
铝单质，99.999% |
参考官网 |
PVD 沉积铝 |
刻蚀：
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货号 |
CAS |
中文名 |
规格 |
用途 |
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LS00A5134 |
7664-39-3 |
氢氟酸 |
4L |
刻蚀单晶硅和多晶硅 |
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LS0049999-025 |
BOE(HF+NH4F) |
2.5L |
刻蚀二氧化硅薄膜 |
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LS00A2424 |
7664-38-2 |
磷酸 |
4L |
刻蚀二氧化硅薄膜 |
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044581 |
铝刻蚀液 |
1gal |
刻蚀铝 |
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044583 |
铜蚀刻剂 |
1gal |
蚀刻铜 |
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清洗：
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货号 |
CAS |
中文名 |
用途 |
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LS00A5084 |
7647-01-0 |
盐酸 |
除去硅中的金属元素和颗粒物杂质 |
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LS00A300-200 |
7664-93-9 |
硫酸 |
“piranha”溶液（70%硫酸和30%双氧水），用来清洗硅片金属元素 |
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A470-500 |
1336-21-6 |
氢氧化铵 |
清洗硅片中酸性杂质 |
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W6-4 |
7732-18-5 |
去离子水 |
用来漂洗硅片和稀释清洗剂 |
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LS00A4614 |
67-63-0 |
异丙醇 |
用来清洗有机污染物 |
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LS00A06044 |
67-64-1 |
丙酮 |
通用的清洗剂，比IPA更强 |
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X5-4 |
1330-20-7 |
二甲苯 |
较强清洗剂，用来除去硅片边缘光刻胶 |
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LS00A5134 |
7664-39-3 |
氢氟酸 |
用来除去自然氧化层 |
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LS00H18114 |
7722-84-1 |
双氧水 |
用来与酸配制混合清洗液 |
分析检测相关：
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类别 |
货号 |
CAS |
中文名 |
规格 |
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ICP-MS配套试剂 |
A466-500 |
7647-01-0 |
盐酸，Optima级别 |
500mL |
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A463-500 |
7664-39-3 |
氢氟酸，Optima级别 |
500mL |
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A467-500 |
7697-37-2 |
硝酸，Optima级别 |
500mL |
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|
A468-500 |
7664-93-9 |
硫酸，Optima级别 |
500mL |
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A470-500 |
1336-21-6 |
氨水，Optima级别 |
500mL |
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W9-500 |
7732-18-5 |
纯水，Ultra Trace Elemental |
500mL |
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014657 |
重金属离子标液 |
100mL, 500mL |
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044518 |
过渡金属离子标液 |
100mL, 500mL |
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042885 |
多元素标液 |
100mL, 500mL |
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HPLC配套试剂 |
A998-4F |
75-05-8 |
乙腈，HPLC级别 |
4L |
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A452-4F |
67-56-1 |
甲醇，HPLC级别 |
4L |
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A451-4F |
67-63-0 |
异丙醇，HPLC级别 |
4L |
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